НОВОСИБИРСК, 29 августа, РИА ФедералПресс. Сотрудники Института физики полупроводников СО РАН разработали устройство для хранения информации, используя мультиграфен, что сделал его самой быстрой флешкой в мире.
Как сообщает издание «Наука в Сибири», Принцип ее действия основан на инжекции (впрыскивании) и хранении электрического заряда в запоминающей среде (мультиграфене). Помимо этого в «начинке» устройства используется туннельный и блокирующий слои.
«Так как для флеш-памяти на основе мультиграфена требуется тонкий туннельный слой, то быстродействие повышается в два-три раза. Ко всему прочему мы можем использовать более низкие напряжения перепрограммирования, а большая работа выхода позволяет долго хранить инжектированный заряд», — отмечает Юрий Новиков, – отметил научный сотрудник ИФП СО РАН Юрий Николаевича Новикова.
По словам ученого, сейчас в институте проводятся только фундаментальные исследования, и хотя уже существуют опытные образцы самой быстрой в мире флешки, до коммеческого применения ей еще далеко. Для массового производства в России потребуется завод с современным технологиями, строительство которого обойдется в 5 миллиардов долларов.